RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
auf Bestellung 2553 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
48+0.37 EUR
80+0.22 EUR
128+0.14 EUR
500+0.10 EUR
1000+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 48
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Weitere Produktangebote RN1310(TE85L,F) nach Preis ab 0.07 EUR bis 0.08 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN1310(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R
auf Bestellung 2954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
1954+0.08 EUR
2500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 1954
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1310(TE85L,F) Hersteller : Toshiba Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH