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RN1401,LF(T

RN1401,LF(T TOSHIBA


RN1401_06.pdf Hersteller: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 20 Stücke
auf Bestellung 2880 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1400+0.05 EUR
2140+0.03 EUR
2440+0.03 EUR
2780+0.03 EUR
2880+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1400
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Technische Details RN1401,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RN1401,LF(T RN1401,LF(T Hersteller : TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 2880 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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RN1401,LF(T RN1401,LF(T Hersteller : Toshiba 481docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1401.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
auf Bestellung 4050 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2646+0.06 EUR
2667+0.05 EUR
3116+0.05 EUR
3290+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2646
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RN1401,LF(T RN1401,LF(T Hersteller : TOSHIBA 3622415.pdf Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
auf Bestellung 55025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RN1401,LF(T RN1401,LF(T Hersteller : TOSHIBA 3622415.pdf Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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RN1401,LF(T RN1401,LF(T Hersteller : Toshiba 481docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1401.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Silicon NPN Epitaxial Type
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