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RN1417,LF

RN1417,LF Toshiba

RN1417_datasheet_en_20140301-1627380.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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Technische Details RN1417,LF Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.