RN1418,LF Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 112+ | 0.47 EUR |
| 120+ | 0.44 EUR |
| 220+ | 0.24 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
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Technische Details RN1418,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
Weitere Produktangebote RN1418,LF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN1418,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
auf Bestellung 2996 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RN1418,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |