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RN1427TE85LF

RN1427TE85LF Toshiba


rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Hersteller: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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Technische Details RN1427TE85LF Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 300 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

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RN1427TE85LF RN1427TE85LF Hersteller : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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RN1427TE85LF RN1427TE85LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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RN1427TE85LF RN1427TE85LF Hersteller : Toshiba RN1427_datasheet_en_20210827-1150537.pdf Digital Transistors NPN 50V 0.8A TRANSISTOR LOG
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RN1427TE85LF RN1427TE85LF Hersteller : Toshiba rn1422_datasheet_en_20210827.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 800mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
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RN1427TE85LF RN1427TE85LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18798&prodName=RN1423 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 100mA, 1V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 300 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
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