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RN1605TE85LF

RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18809&prodName=RN1604
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Supplier Device Package: SM6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
auf Bestellung 47 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+0.61 EUR
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Technische Details RN1605TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Supplier Device Package: SM6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 300mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74, SOT-457, Packaging: Tape & Reel (TR), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V.

Weitere Produktangebote RN1605TE85LF nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.7 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1605TE85LF RN1605TE85LF Toshiba 6CE21AA525A53EC6D5DDBFC836DCFCCC6A45AA4F10DFF8E6904F0DD1E635949C.pdf Digital Transistors BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.7 EUR
10+0.43 EUR
100+0.26 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.11 EUR
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RN1605TE85LF
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