RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SM6
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 0.71 EUR |
| 48+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.27 EUR |
| 500+ | 0.2 EUR |
| 1000+ | 0.18 EUR |
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Technische Details RN1610(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SM6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 300mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SM6.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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| RN1610(TE85L,F) | Toshiba |
RN1610(TE85L,F) |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RN1610(TE85L,F) |
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Hersteller: Toshiba
RN1610(TE85L,F)
RN1610(TE85L,F)
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4688+ | 0.14 EUR |