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RN1701,LF

RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18817&prodName=RN1701
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: USV
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
auf Bestellung 6209 Stücke:
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Technische Details RN1701,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA USV, Supplier Device Package: USV, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN1701,LF RN1701,LF Toshiba RN1701_datasheet_en_20191003-1627196.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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10+0.39 EUR
100+0.21 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.092 EUR
3000+0.072 EUR
9000+0.06 EUR
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RN1701,LF RN1701_datasheet_en_20191003-1627196.pdf
RN1701,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=4.7kOhm, Q2BSR=4.7kOhm, Q2BER=4.7kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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