Produkte > TOSHIBA > RN1902FE,LF(CT
RN1902FE,LF(CT

RN1902FE,LF(CT Toshiba

RN1902FE_datasheet_en_20211223-1627356.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
auf Bestellung 27204 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+0.4 EUR
10+0.33 EUR
100+0.17 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.077 EUR
4000+0.06 EUR
8000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RN1902FE,LF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.

Weitere Produktangebote RN1902FE,LF(CT

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
auf Bestellung 112 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Hersteller : Toshiba 156docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1906fe.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor)
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN1902FE,LF(CT RN1902FE,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=19130&prodName=RN1902FE Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH