RN1902FE,LF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 89+ | 0.58 EUR |
| 109+ | 0.48 EUR |
| 205+ | 0.25 EUR |
| 500+ | 0.17 EUR |
| 1000+ | 0.11 EUR |
| 4000+ | 0.088 EUR |
| 8000+ | 0.075 EUR |
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Technische Details RN1902FE,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=10kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=10kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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RN1902FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
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RN1902FE,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
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