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RN1905FE,LF(CT

RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19130&prodName=RN1901FE
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Supplier Device Package: ES6
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 100mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1080 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.42 EUR
81+0.26 EUR
131+0.17 EUR
500+0.12 EUR
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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Technische Details RN1905FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6, Supplier Device Package: ES6, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 100mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-563, SOT-666, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote RN1905FE,LF(CT nach Preis ab 0.074 EUR bis 0.43 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN1905FE,LF(CT RN1905FE,LF(CT Toshiba 349C2AE1B3EF655FF02AE254CE3ED96EE01B15E530D1A9EB5C71072B117E8CFC.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
auf Bestellung 2836 Stücke:
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8+0.43 EUR
13+0.26 EUR
100+0.17 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.11 EUR
2000+0.096 EUR
4000+0.074 EUR
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Hersteller: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
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