RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18826&prodName=RN1908
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Supplier Device Package: US6
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 200mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technische Details RN1909,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH, Supplier Device Package: US6, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Frequency - Transition: 250MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 200mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN1909,LF(CT RN1909,LF(CT Toshiba RN1909_datasheet_en_20210824-1627282.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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RN1909,LF(CT RN1909_datasheet_en_20210824-1627282.pdf
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, Q2BSR=47kOhm, Q2BER=22kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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