Technische Details RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.
Weitere Produktangebote RN1911,LF(CT nach Preis ab 0.053 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RN1911,LF(CT | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A |
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RN1911,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RN1911,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.46 EUR |
| 10+ | 0.3 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.09 EUR |
| 3000+ | 0.072 EUR |
| 9000+ | 0.056 EUR |
| 24000+ | 0.053 EUR |
| RN1911,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)



