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RN1911,LF(CT

RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
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Technische Details RN1911,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A.

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RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Hersteller : Toshiba RN1911_datasheet_en_20211223-1627249.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=Inf.kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=Inf.kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A
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RN1911,LF(CT RN1911,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18828&prodName=RN1911 Description: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
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