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RN2101,LF(CT Toshiba

Name: RN2101,LF(CT
Brand: Toshiba
SKU: 152976-4
Price: 2.88 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor

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Technische Details RN2101,LF(CT Toshiba

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 200 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Weitere Produktangebote RN2101,LF(CT

Foto	Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
	RN2101,LF(CT	Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 200 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR)	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
	RN2101,LF(CT	Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms	Produkt ist nicht verfügbar Benachrichtigung bei Verfügbarkeit	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH