Produkte > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN2102MFV,L3F(CT
RN2102MFV,L3F(CT

RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 8000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 10-14 Tag (e)
Mindestmenge: 8000 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Weitere Produktangebote RN2102MFV,L3F(CT nach Preis ab 0.032 EUR bis 0.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
85+0.25 EUR
158+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV RN2102MFV,L3F(CT
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5348+0.033 EUR
5377+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 5348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CT Toshiba RN2102MFV_datasheet_en_20210818-1116149.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.31 EUR
11+0.3 EUR
100+0.15 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.052 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
RN2102MFV,L3F(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
auf Bestellung 15720 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
85+0.25 EUR
158+0.13 EUR
500+0.1 EUR
1000+0.073 EUR
2000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5883&prodName=RN2102MFV
Hersteller: Toshiba
RN2102MFV,L3F(CT
auf Bestellung 7700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5348+0.033 EUR
5377+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 5348 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RN2102MFV,L3F(CT RN2102MFV_datasheet_en_20210818-1116149.pdf
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased 10kohm 10kohm 0.1A SOT-723 50V
auf Bestellung 7450 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.31 EUR
11+0.3 EUR
100+0.15 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.069 EUR
2500+0.052 EUR
8000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH