RN2103,LF(CT TOSHIBA
Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
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Produktpalette: -
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1201+ | 0.2 EUR |
| 1475+ | 0.15 EUR |
| 1909+ | 0.11 EUR |
| 2625+ | 0.082 EUR |
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Technische Details RN2103,LF(CT TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RN2103,LF(CT nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RN2103,LF(CT | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN2103,LF(CT | Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package |
auf Bestellung 8402 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RN2103,LF(CT | Toshiba |
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1263 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RN2103,LF(CT |
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Hersteller: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
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Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1201+ | 0.2 EUR |
| 1475+ | 0.15 EUR |
| 1909+ | 0.11 EUR |
| 2625+ | 0.082 EUR |
| RN2103,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
auf Bestellung 8402 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.42 EUR |
| 10+ | 0.33 EUR |
| 100+ | 0.18 EUR |
| 500+ | 0.12 EUR |
| 1000+ | 0.082 EUR |
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 24000+ | 0.05 EUR |
| RN2103,LF(CT |
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Hersteller: Toshiba
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)