RN2103,LF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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Technische Details RN2103,LF(CT Toshiba
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RN2103,LF(CT
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Preis |
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RN2103,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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RN2103,LF(CT | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN2103,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RN2103,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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RN2103,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
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