_SPL.jpg "RN2107MFV,L3XHF(CT")
RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723)
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 6+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.44 EUR |
| 100+ | 0.23 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.095 EUR |
| 2500+ | 0.083 EUR |
| 8000+ | 0.072 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RN2107MFV,L3XHF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-723).
Weitere Produktangebote RN2107MFV,L3XHF(CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2107MFV,L3XHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
RN2107MFV,L3XHF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q PNP Q1BSR=10K, Q1BER= |
Produkt ist nicht verfügbar |