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RN2108,LF(CT

RN2108,LF(CT Toshiba

RN2108_datasheet_en_20210830-1627108.pdf
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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11+0.32 EUR
100+0.18 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.08 EUR
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Technische Details RN2108,LF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN2108,LF(CT RN2108,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
auf Bestellung 2900 Stücke:
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60+0.36 EUR
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RN2108,LF(CT docget.jsp?did=18845&prodName=RN2108
RN2108,LF(CT
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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