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RN2109,LF(CT

RN2109,LF(CT Toshiba

RN2109_datasheet_en_20210830-1627129.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
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Technische Details RN2109,LF(CT Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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RN2109,LF(CT RN2109,LF(CT Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18845&prodName=RN2109 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM
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