RN2109,LF(CT Toshiba
Hersteller: ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package
auf Bestellung 7399 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 102+ | 0.51 EUR |
| 125+ | 0.42 EUR |
| 233+ | 0.22 EUR |
| 500+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.1 EUR |
| 3000+ | 0.075 EUR |
| 9000+ | 0.065 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RN2109,LF(CT Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=47kOhm, Q1BER=22kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-416 (SSM) package.
Weitere Produktangebote RN2109,LF(CT
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN2109,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
RN2109,LF(CT | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SSM |
Produkt ist nicht verfügbar |