RN2416,LF Toshiba
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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Anzahl | Preis ohne MwSt |
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124+ | 0.42 EUR |
129+ | 0.41 EUR |
211+ | 0.25 EUR |
500+ | 0.15 EUR |
1000+ | 0.1 EUR |
3000+ | 0.065 EUR |
9000+ | 0.057 EUR |
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Technische Details RN2416,LF Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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RN2416,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
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RN2416,LF | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI |
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