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RN2416,LF

RN2416,LF Toshiba

RN2416_datasheet_en_20210830-1627315.pdf Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package
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Technische Details RN2416,LF Toshiba

Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP BRT, Q1BSR=4.7kOhm, Q1BER=10kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A, inSOT-346 (S-Mini) package.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RN2416,LF RN2416,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
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RN2416,LF RN2416,LF Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18883&prodName=RN2416 Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMINI
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