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RN2709,LF

RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18903&prodName=RN2709
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: USV
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Technische Details RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 100MA USV, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 200MHz, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: USV.

Weitere Produktangebote RN2709,LF nach Preis ab 0.075 EUR bis 0.58 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RN2709,LF RN2709,LF Toshiba RN2709_datasheet_en_20191029-1627327.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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10+0.48 EUR
100+0.25 EUR
500+0.17 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
9000+0.075 EUR
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RN2709,LF RN2709_datasheet_en_20191029-1627327.pdf
RN2709,LF
Hersteller: Toshiba
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP x 2 BRT, Q1BSR=22kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=22kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
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