| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.27 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.95 EUR |
| 3000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.76 EUR |
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Technische Details RQ1A070ZPHZGTR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RQ1A070ZPHZGTR nach Preis ab 1.04 EUR bis 3.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RQ1A070ZPHZGTR | ROHM |
 Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 1379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ1A070ZPHZGTR | ROHM |
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: To Be Advised |
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| RQ1A070ZPHZGTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: To Be Advised
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 65+ | 3.84 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| RQ1A070ZPHZGTR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - RQ1A070ZPHZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 7 A, 0.012 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: TSMT
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
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SVHC: To Be Advised
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.84 EUR |
| 103+ | 2.26 EUR |
| 155+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |