auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2+ | 1.94 EUR |
| 10+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.36 EUR |
| 500+ | 1.12 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| 3000+ | 0.83 EUR |
| 6000+ | 0.78 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RQ3E075ATTB ROHM Semiconductor
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -18A, Pulsed drain current: -30A, Power dissipation: 15W, Case: HSMT8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 33mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 21nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote RQ3E075ATTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ3E075ATTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
auf Bestellung 1181 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
| RQ3E075ATTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 15W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
RQ3E075ATTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| RQ3E075ATTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -18A; Idm: -30A; 15W; HSMT8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -18A Pulsed drain current: -30A Power dissipation: 15W Case: HSMT8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 33mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |