Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RQ3E080BNTB
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 14W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 14W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm.

Weitere Produktangebote RQ3E080BNTB nach Preis ab 0.23 EUR bis 2.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor rq3e080bntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
488+0.36 EUR
491+0.35 EUR
561+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor rq3e080bntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
438+0.42 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 14503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+0.98 EUR
10+0.7 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 8823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
244+0.95 EUR
345+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB RQ3E080BNTB ROHM datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
118+2.12 EUR
244+0.95 EUR
345+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB rq3e080bntb-e.pdf
RQ3E080BNTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 5578 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
488+0.36 EUR
491+0.35 EUR
561+0.3 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 488 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB rq3e080bntb-e.pdf
RQ3E080BNTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
438+0.42 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 438 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 14503 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.98 EUR
10+0.7 EUR
100+0.4 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.2mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 15 V
auf Bestellung 8823 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+1.24 EUR
28+0.76 EUR
100+0.49 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+2.12 EUR
244+0.95 EUR
345+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3E080BNTB datasheet?p=RQ3E080BN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E080BNTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E080BNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 15 A, 0.0152 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 14W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 14W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0152ohm
auf Bestellung 1809 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
118+2.12 EUR
244+0.95 EUR
345+0.62 EUR
500+0.55 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 118 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH