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RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

rq3e120attb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 23995 Stücke:
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Technische Details RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

Weitere Produktangebote RQ3E120ATTB nach Preis ab 0.51 EUR bis 2.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 15780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 2941 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
57+1.5 EUR
92+0.93 EUR
138+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+1.8 EUR
200+1.15 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 15 V
auf Bestellung 1356 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.2 EUR
16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
auf Bestellung 14077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
89+2.82 EUR
151+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
151+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RQ3E120ATTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
auf Bestellung 15780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
165+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 165 Stücke
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RQ3E120ATTB
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
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Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 2941 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
57+1.5 EUR
92+0.93 EUR
138+0.62 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
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auf Bestellung 2407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+1.8 EUR
200+1.15 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
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Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
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auf Bestellung 1356 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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16+1.37 EUR
100+0.9 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
auf Bestellung 14077 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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RQ3E120ATTB datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3E120ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
89+2.82 EUR
151+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 89 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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RQ3E120ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.82 EUR
151+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
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