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RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

rq3e120attb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
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Technische Details RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 39A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 20W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
auf Bestellung 2941 Stücke:
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57+1.5 EUR
92+0.93 EUR
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor rq3e120attb-e.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
auf Bestellung 14077 Stücke:
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2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
3000+0.56 EUR
6000+0.51 EUR
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
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100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM datasheet?p=RQ3E120AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.82 EUR
151+1.54 EUR
230+0.93 EUR
500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RQ3E120ATTB RQ3E120ATTB ROHM rq3e120attb-e.pdf Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
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88+2.84 EUR
150+1.56 EUR
228+0.94 EUR
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1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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RQ3E120ATTB
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Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -39A; Idm: -48A; 20W; HSMT8
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Drain current: -39A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 62nC
On-state resistance: 11.3mΩ
Power dissipation: 20W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: HSMT8
Type of transistor: P-MOSFET
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92+0.93 EUR
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MOSFETs HSMT8 P-CH 30V 39A
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1000+0.64 EUR
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6000+0.51 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
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15+1.42 EUR
50+1.05 EUR
100+0.93 EUR
500+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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RQ3E120ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1749 Stücke:
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151+1.54 EUR
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500+0.73 EUR
1000+0.67 EUR
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RQ3E120ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3E120ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 39 A, 8000 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 20W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
auf Bestellung 1399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
88+2.84 EUR
150+1.56 EUR
228+0.94 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 88 Stücke
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