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RQ3G110ATTB

RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+1.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Technische Details RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 35A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm.

Weitere Produktangebote RQ3G110ATTB nach Preis ab 1.32 EUR bis 5.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB ROHM datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.37 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.45 EUR
100+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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RQ3G110ATTB RQ3G110ATTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.44 EUR
10+2.68 EUR
100+1.89 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.33 EUR
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tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
45+5.59 EUR
69+3.37 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
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RQ3G110ATTB datasheet?p=RQ3G110AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ3G110ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 35A
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0098ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.37 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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RQ3G110ATTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: PCH -40V -35A, HSMT8, POWER MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2750 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-HSMT (3.2x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7975 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.62 EUR
10+2.45 EUR
100+1.74 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs HSMT8 P-CH 40V 35A
auf Bestellung 2253 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.44 EUR
10+2.68 EUR
100+1.89 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.44 EUR
3000+1.33 EUR
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RQ3G110ATTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3G110ATTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 35 A, 9800 µohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9800µohm
auf Bestellung 2404 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
45+5.59 EUR
69+3.37 EUR
112+1.92 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 45 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH