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Technische Details RQ3G150GNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8, Case: HSMT8, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 24.1nC, On-state resistance: 8.9mΩ, Power dissipation: 20W, Drain current: 39A, Pulsed drain current: 60A.
Weitere Produktangebote RQ3G150GNTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ3G150GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
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RQ3G150GNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT |
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| RQ3G150GNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 39A; Idm: 60A; 20W; HSMT8 Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 24.1nC On-state resistance: 8.9mΩ Power dissipation: 20W Drain current: 39A Pulsed drain current: 60A |
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