RQ3L050GNTB ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.8W
Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: HSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details RQ3L050GNTB ROHM
Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 14.8W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ3L050GNTB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ3L050GNTB | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFET Nch 60V 12A Si MOSFET |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ3L050GNTB | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ3L050GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.061 ohm, HSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 14.8W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2740 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ3L050GNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 20A; 14.8W; HSMT8 Case: HSMT8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 5.3nC On-state resistance: 86mΩ Power dissipation: 14.8W Drain current: 13A Pulsed drain current: 20A |
Produkt ist nicht verfügbar |