RQ3L120BKFRATCB ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 1.70 EUR |
| 10+ | 1.40 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.81 EUR |
| 3000+ | 0.69 EUR |
| 6000+ | 0.67 EUR |
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Technische Details RQ3L120BKFRATCB ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RQ3L120BKFRATCB
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ3L120BKFRATCB | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RQ3L120BKFRATCB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, HSMT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: To Be Advised |
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