RQ5A030APTL

RQ5A030APTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
auf Bestellung 12000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.16 EUR
6000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RQ5A030APTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RQ5A030APTL nach Preis ab 0.16 EUR bis 0.93 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Hersteller : ROHM Semiconductor rq5a030aptl_e-1873298.pdf MOSFETs -12V P-CHANNEL -3A
auf Bestellung 6494 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
5+0.67 EUR
10+0.56 EUR
100+0.38 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.20 EUR
9000+0.17 EUR
24000+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 5
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 6 V
auf Bestellung 14875 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
19+0.93 EUR
31+0.58 EUR
100+0.37 EUR
500+0.28 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 19
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Hersteller : ROHM 3740673.pdf Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ5A030APTL RQ5A030APTL Hersteller : ROHM 3740673.pdf Description: ROHM - RQ5A030APTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 3 A, 0.044 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 11155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RQ5A030APTL Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RQ5A030AP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key RQ5A030APTL SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH