RQ5C025TPTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 13+ | 1.46 EUR |
| 20+ | 0.90 EUR |
| 100+ | 0.59 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details RQ5C025TPTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ5C025TPTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RQ5C025TPTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET -20V P-CHANNEL -2.5A |
auf Bestellung 1105 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ5C025TPTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ5C025TPTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5C025TPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.07 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 24015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ5C025TPTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 2.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V |
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