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Technische Details RQ5E030RPTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.
Weitere Produktangebote RQ5E030RPTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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RQ5E030RPTL | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RQ5E030RPTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.055 ohm, SOT-346T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-346T Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm |
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RQ5E030RPTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
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| RQ5E030RPTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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RQ5E030RPTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3 |
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| RQ5E030RPTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1W; TSMT3 Mounting: SMD Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 5.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: TSMT3 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: P-MOSFET |
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