RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V
auf Bestellung 2774 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 16+ | 1.72 EUR |
| 18+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.04 EUR |
| 500+ | 0.87 EUR |
| 1000+ | 0.74 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RQ5E070BNTCL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 760mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 760mW, Bauform - Transistor: SOT-346T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RQ5E070BNTCL nach Preis ab 0.7 EUR bis 1.88 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RQ5E070BNTCL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Nch 30V 7Ad Si MOSFET |
auf Bestellung 85 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RQ5E070BNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-346T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RQ5E070BNTCL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ5E070BNTCL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7 A, 0.0124 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 760mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 760mW Bauform - Transistor: SOT-346T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0124ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| RQ5E070BNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||||||||||||||||||
|
|
RQ5E070BNTCL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 7A TSMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-96 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.1mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 15 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| RQ5E070BNTCL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; Idm: 18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
Produkt ist nicht verfügbar |