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RQ5L020SNTL

RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RQ5L020SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.37 EUR
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Technische Details RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.17 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-346T, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm.

Weitere Produktangebote RQ5L020SNTL nach Preis ab 0.33 EUR bis 2 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ5L020SNTL RQ5L020SNTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ5L020SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.
auf Bestellung 8561 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.13 EUR
10+0.9 EUR
100+0.65 EUR
500+0.52 EUR
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RQ5L020SNTL RQ5L020SNTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ5L020SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
auf Bestellung 4934 Stücke:
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14+1.55 EUR
22+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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RQ5L020SNTL RQ5L020SNTL ROHM datasheet?p=RQ5L020SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.17 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
125+2 EUR
201+1.15 EUR
310+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 125 Stücke
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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RQ5L020SNTL
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MOSFET RQ5L020SN is a MOSFET with G-S Protection Diode and low on-switching, suitable for DC/DC Converter.
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500+0.52 EUR
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RQ5L020SNTL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
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Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 10 V
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RQ5L020SNTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.17 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1W
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Bauform - Transistor: SOT-346T
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ5L020SNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.17 ohm, SOT-346T, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
auf Bestellung 315 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
125+2 EUR
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