RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 285+ | 0.52 EUR |
| 297+ | 0.48 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ6C050BCTCR nach Preis ab 0.31 EUR bis 1.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
RQ6C050BCTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6C050BCTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET |
auf Bestellung 3315 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6C050BCTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
RQ6C050BCTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
RQ6C050BCTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||
|
|
RQ6C050BCTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |