RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 285+ | 0.61 EUR |
| 297+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.55 EUR |
| 1000+ | 0.51 EUR |
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Technische Details RQ6C050BCTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RQ6C050BCTCR nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RQ6C050BCTCR | ROHM |
 Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6C050BCTCR | ROHM |
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6C050BCTCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6C050BCTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ6C050BCTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET |
auf Bestellung 3220 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ6C050BCTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6 Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 1400 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 1.13 EUR |
| 264+ | 0.88 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RQ6C050BCTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5 A, 0.027 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 221+ | 1.13 EUR |
| 264+ | 0.88 EUR |
| 415+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.43 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5A Automotive 6-Pin TSMT T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 131+ | 1.33 EUR |
| 268+ | 0.64 EUR |
| 293+ | 0.57 EUR |
| 294+ | 0.56 EUR |
| 500+ | 0.45 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 13+ | 1.7 EUR |
| 15+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 1.01 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.71 EUR |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
MOSFETs Pch -20V -5A Si MOSFET
auf Bestellung 3220 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.48 EUR |
| 10+ | 1.56 EUR |
| 100+ | 1.02 EUR |
| 500+ | 0.8 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 3000+ | 0.7 EUR |
| RQ6C050BCTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Description: MOSFET P-CH 20V 5A TSMT6
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
auf Bestellung 1400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)