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RQ6E030ATTCR

RQ6E030ATTCR ROHM Semiconductor

rq6e030attcr_e-1873344.pdf
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -3A Middle Power MOSFET
auf Bestellung 2573 Stücke:
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Technische Details RQ6E030ATTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm.

Weitere Produktangebote RQ6E030ATTCR nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.87 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 690 Stücke:
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14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
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RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
auf Bestellung 1615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
135+1.87 EUR
216+1.08 EUR
333+0.64 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 135 Stücke
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RQ6E030ATTCR RQ6E030ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E030AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
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RQ6E030ATTCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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RQ6E030ATTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
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Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.091 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.091ohm
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