RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V
auf Bestellung 1173 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 21+ | 0.86 EUR |
| 25+ | 0.73 EUR |
| 100+ | 0.51 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.32 EUR |
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Technische Details RQ6E030ATTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RQ6E030ATTCR nach Preis ab 0.38 EUR bis 1.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RQ6E030ATTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -30V -3A Middle Power MOSFET |
auf Bestellung 2700 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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RQ6E030ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 2437 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6E030ATTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E030ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.07 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2892 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6E030ATTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 3A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 15 V |
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