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RQ6E035ATTCR

RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -30V -3.5A Power MOSFET
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Technische Details RQ6E035ATTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 2440 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
21+1 EUR
34+0.62 EUR
100+0.31 EUR
500+0.3 EUR
1000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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RQ6E035ATTCR RQ6E035ATTCR ROHM datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 4930 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
206+1.21 EUR
268+0.87 EUR
391+0.55 EUR
559+0.38 EUR
1000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 206 Stücke
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RQ6E035ATTCR ROHM - Japan datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
30+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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RQ6E035ATTCR datasheet?p=RQ6E035AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ6E035ATTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E035ATTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.05 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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268+0.87 EUR
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Hersteller: ROHM - Japan
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 3,5A; 1,25W; -55°C~150°C; RQ6E035ATTCR TRQ6e035attcr
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 50 Stücke:
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30+1.17 EUR
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