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RQ6E045TNTR

RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor

rq6e045tntr-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 6-Pin TSMT T/R
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Technische Details RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, Verlustleistung: 1.25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-457T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
auf Bestellung 1560 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
18+1.18 EUR
23+0.92 EUR
100+0.71 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR ROHM Semiconductor datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 30V 4.5A Small Signal MOSFET
auf Bestellung 5726 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.26 EUR
10+0.89 EUR
100+0.67 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.5 EUR
3000+0.44 EUR
6000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR ROHM datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 2617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
153+1.63 EUR
248+0.94 EUR
335+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 153 Stücke
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RQ6E045TNTR RQ6E045TNTR ROHM datasheet?p=RQ6E045TN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 2617 Stücke:
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248+0.94 EUR
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RQ6E045TNTR
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Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
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RQ6E045TNTR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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hazardous: false
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Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 2617 Stücke:
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E045TNTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.043 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
auf Bestellung 2617 Stücke:
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153+1.63 EUR
248+0.94 EUR
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