RQ6E050AJTCR ROHM Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.3 EUR |
| 10+ | 0.86 EUR |
| 100+ | 0.58 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.42 EUR |
| 3000+ | 0.36 EUR |
| 6000+ | 0.33 EUR |
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Technische Details RQ6E050AJTCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RQ6E050AJTCR nach Preis ab 0.45 EUR bis 1.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RQ6E050AJTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V |
auf Bestellung 1896 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ6E050AJTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6E050AJTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E050AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6E050AJTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A TSMT6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) |
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