RQ6E080AJTCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 14+ | 1.27 EUR |
| 16+ | 1.1 EUR |
| 100+ | 0.76 EUR |
| 500+ | 0.64 EUR |
| 1000+ | 0.54 EUR |
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Technische Details RQ6E080AJTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RQ6E080AJTCR nach Preis ab 1.17 EUR bis 2.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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RQ6E080AJTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET RQ6E080AJ is low on - resistance and small surface mount package MOSFET for switching application. |
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RQ6E080AJTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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RQ6E080AJTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6E080AJTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.0125 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2905 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6E080AJTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
RQ6E080AJTCR SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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RQ6E080AJTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 950mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 15 V |
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