RQ6E085BNTCR ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.26 EUR |
| 127+ | 1.84 EUR |
| 165+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details RQ6E085BNTCR ROHM
Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 8.5, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 1.25, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, Verlustleistung: 1.25, Bauform - Transistor: SOT-457T, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote RQ6E085BNTCR nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RQ6E085BNTCR | ROHM |
Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 8.5 Qualifikation: - MSL: - Verlustleistung Pd: 1.25 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 Verlustleistung: 1.25 Bauform - Transistor: SOT-457T Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6E085BNTCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1639 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RQ6E085BNTCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET |
auf Bestellung 2282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RQ6E085BNTCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: ROHM - RQ6E085BNTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.0111 ohm, SOT-457T, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 8.5
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: SOT-457T
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 2463 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 111+ | 2.26 EUR |
| 127+ | 1.84 EUR |
| 165+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.04 EUR |
| 1000+ | 0.79 EUR |
| RQ6E085BNTCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
auf Bestellung 1639 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 2.53 EUR |
| 14+ | 1.61 EUR |
| 100+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.83 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| RQ6E085BNTCR |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET
MOSFETs Nch 30V 8.5A Si MOSFET
auf Bestellung 2282 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.76 EUR |
| 10+ | 1.74 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.82 EUR |
| 3000+ | 0.73 EUR |
| 6000+ | 0.69 EUR |


