RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
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| 6000+ | 0.99 EUR |
| 9000+ | 0.94 EUR |
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Technische Details RQ6L020SPTCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.25W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.25W, Bauform - Transistor: SMD, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Weitere Produktangebote RQ6L020SPTCR nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.5 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RQ6L020SPTCR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
MOSFET Pch -60V 2A 1.25W SOT-457T |
auf Bestellung 23312 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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RQ6L020SPTCR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 60V 2A TSMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 10 V |
auf Bestellung 20402 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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RQ6L020SPTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
auf Bestellung 14216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RQ6L020SPTCR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RQ6L020SPTCR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.15 ohm, SMD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.25W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SMD Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
auf Bestellung 14216 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RQ6L020SPTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 266mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Mounting: SMD Case: TSMT6 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| RQ6L020SPTCR | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; Idm: -8A; 1.25W; TSMT6 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A On-state resistance: 266mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.25W Polarisation: unipolar Gate charge: 7.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8A Mounting: SMD Case: TSMT6 |
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