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RQ7G080BGTCR

RQ7G080BGTCR ROHM Semiconductor

datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFET LOW POWER MOSFET
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Technische Details RQ7G080BGTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 1.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm.

Weitere Produktangebote RQ7G080BGTCR nach Preis ab 0.93 EUR bis 2.95 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR Rohm Semiconductor datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3100 Stücke:
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RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR ROHM datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 85 Stücke
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RQ7G080BGTCR RQ7G080BGTCR ROHM datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 8A, TSMT8, POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
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Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
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RQ7G080BGTCR datasheet?p=RQ7G080BG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RQ7G080BGTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
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RQ7G080BGTCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RQ7G080BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.0165 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0165ohm
auf Bestellung 91 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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