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Technische Details RQA0002DNSTB-E Renesas
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: 3-DFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Power Dissipation (Max): 15W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA, Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4), Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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| RQA0002DNSTB-E | Hersteller : Renesas |
Description: RQA0002DNS - N CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 3-DFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Power Dissipation (Max): 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 1mA Supplier Device Package: 2-HWSON (5x4) Vgs (Max): ±5V Drain to Source Voltage (Vdss): 16 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 102 pF @ 0 V |
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| RQA0002DNSTB-E |
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RQA0002DNSTB-E Produktcode: 127608
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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