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RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor


rrh140p03tb1-e.pdf Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
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Technische Details RRH140P03GZETB ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor rrh140p03tb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2177 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : ROHM rrh140p03tb1-e.pdf Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 0.005 ohm, SOP, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C47B96CC6FE0D3&compId=rrh140p03.pdf?ci_sign=3fea8963dab98dae3cae35eb66e85f6a4656df6a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : Rohm Semiconductor rrh140p03tb1-e.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
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RRH140P03GZETB RRH140P03GZETB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD92C47B96CC6FE0D3&compId=rrh140p03.pdf?ci_sign=3fea8963dab98dae3cae35eb66e85f6a4656df6a Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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