RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor
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Technische Details RRH140P03GZETB Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: SOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Weitere Produktangebote RRH140P03GZETB nach Preis ab 3.46 EUR bis 7.65 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RRH140P03GZETB | ROHM |
 Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RRH140P03GZETB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRH140P03GZETB | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 650mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V |
auf Bestellung 79 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRH140P03GZETB | ROHM |
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 2014 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RRH140P03GZETB | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -14A Pulsed drain current: -56A Power dissipation: 2W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RRH140P03GZETB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.27 EUR |
| 500+ | 4.5 EUR |
| 1000+ | 4.13 EUR |
| RRH140P03GZETB |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
MOSFETs 4V Drive Pch MOSFET SOP8 Pch
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.56 EUR |
| RRH140P03GZETB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 650mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 10 V
auf Bestellung 79 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.91 EUR |
| 10+ | 4.5 EUR |
| 50+ | 3.46 EUR |
| RRH140P03GZETB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: ROHM - RRH140P03GZETB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14 A, 7000 µohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2014 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 33+ | 7.65 EUR |
| 36+ | 6.54 EUR |
| 100+ | 5.27 EUR |
| 500+ | 4.5 EUR |
| 1000+ | 4.13 EUR |
| RRH140P03GZETB |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -14A; Idm: -56A; 2W; SOP8; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -14A
Pulsed drain current: -56A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)