RRS090P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; -30V; -9A; 2W; SOP8
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -9A
Power dissipation: 2W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 87+ | 1.27 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 300+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 1.05 EUR |
| 1000+ | 0.94 EUR |
| 2000+ | 0.93 EUR |
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Technische Details RRS090P03HZGTB ROHM SEMICONDUCTOR
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm.
Weitere Produktangebote RRS090P03HZGTB nach Preis ab 1.39 EUR bis 5.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RRS090P03HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RRS090P03HZGTB | ROHM Semiconductor |
MOSFETs AECQ |
auf Bestellung 4132 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRS090P03HZGTB | Rohm Semiconductor |
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 1694 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RRS090P03HZGTB | ROHM |
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm |
auf Bestellung 1969 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RRS090P03HZGTB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.08 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |
| RRS090P03HZGTB |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
MOSFETs AECQ
auf Bestellung 4132 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.57 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| 100+ | 1.93 EUR |
| 500+ | 1.61 EUR |
| 1000+ | 1.54 EUR |
| 2500+ | 1.39 EUR |
| RRS090P03HZGTB |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1694 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 4.66 EUR |
| 10+ | 3 EUR |
| 50+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 2.05 EUR |
| 500+ | 1.63 EUR |
| RRS090P03HZGTB |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 47+ | 5.4 EUR |
| 76+ | 3.08 EUR |
| 111+ | 1.94 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.39 EUR |