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RRS090P03HZGTB

RRS090P03HZGTB ROHM

rrs090p03hzgtb-e.pdf
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1970 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.86 EUR
114+1.88 EUR
500+1.43 EUR
1000+1.36 EUR
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Technische Details RRS090P03HZGTB ROHM

Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB ROHM Semiconductor datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs AECQ
auf Bestellung 4170 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.58 EUR
10+2.7 EUR
100+1.95 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
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RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor datasheet?p=RRS090P03HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 1854 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.77 EUR
10+3.07 EUR
100+2.09 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RRS090P03HZGTB RRS090P03HZGTB ROHM rrs090p03hzgtb-e.pdf Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+5.18 EUR
82+2.86 EUR
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Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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RRS090P03HZGTB
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs AECQ
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.7 EUR
100+1.95 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.48 EUR
2500+1.39 EUR
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RRS090P03HZGTB
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: AUTOMOTIVE PCH -30V -9A POWER MO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.4mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
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RRS090P03HZGTB
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RRS090P03HZGTB - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0154 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0154ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1970 Stücke:
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82+2.86 EUR
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