RS1E240GNTB

RS1E240GNTB Rohm Semiconductor


datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 10000 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RS1E240GNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 27W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.

Weitere Produktangebote RS1E240GNTB nach Preis ab 0.69 EUR bis 2.25 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1e240gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.93 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.74 EUR
2500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 169
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1e240gntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 24A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
169+0.93 EUR
250+ 0.86 EUR
500+ 0.8 EUR
1000+ 0.74 EUR
2500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 169
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
auf Bestellung 11191 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+1.51 EUR
100+ 1.13 EUR
500+ 0.95 EUR
1000+ 0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 2485 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
24+2.25 EUR
29+ 1.82 EUR
100+ 1.35 EUR
500+ 1.12 EUR
1000+ 0.96 EUR
2500+ 0.85 EUR
5000+ 0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 24
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : ROHM datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1E240GNTB RS1E240GNTB Hersteller : ROHM datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RS1E240GNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 72 A, 0.0026 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 27W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0026ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
auf Bestellung 1926 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
RS1E240GNTB
Produktcode: 186061
datasheet?p=RS1E240GN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar