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RS1E260ATTB1

RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+2.42 EUR
5000+2.37 EUR
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Technische Details RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 40W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm.

Weitere Produktangebote RS1E260ATTB1 nach Preis ab 2.75 EUR bis 8.82 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS1E260ATTB1 RS1E260ATTB1 ROHM datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RS1E260ATTB1 RS1E260ATTB1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
auf Bestellung 4490 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+7.39 EUR
10+4.74 EUR
100+3.52 EUR
500+2.93 EUR
2500+2.75 EUR
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RS1E260ATTB1 RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.46 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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RS1E260ATTB1 RS1E260ATTB1 ROHM datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+8.82 EUR
46+5.08 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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RS1E260ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
500+3 EUR
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RS1E260ATTB1
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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2500+2.75 EUR
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RS1E260ATTB1 datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E260ATTB1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V
auf Bestellung 7154 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.52 EUR
10+4.93 EUR
100+3.46 EUR
500+2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RS1E260ATTB1 datasheet?p=RS1E260AT&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RS1E260ATTB1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 3100 µohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 40W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 1100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+8.82 EUR
46+5.08 EUR
100+3.59 EUR
500+3 EUR
1000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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