RS1E260ATTB1 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -30V(Vdss), -26.0A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 5.05 EUR |
| 10+ | 3.52 EUR |
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| 500+ | 2.46 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
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Technische Details RS1E260ATTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 40W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: HSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS1E260ATTB1 nach Preis ab 2.47 EUR bis 5.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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RS1E260ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V |
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RS1E260ATTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS1E260ATTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E260ATTB1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 80 A, 0.0025 ohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: HSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2495 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RS1E260ATTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-HSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 175 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7850 pF @ 15 V |
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