RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 1+ | 2.89 EUR |
| 10+ | 2.01 EUR |
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| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.36 EUR |
| 2500+ | 1.23 EUR |
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Technische Details RS1E301GNTB1 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RS1E301GNTB1 nach Preis ab 3.63 EUR bis 3.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RS1E301GNTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 2200 µohm, HSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: HSOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RS1E301GNTB1 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 30A/80A 8HSOP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RS1E301GNTB1 | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 120A; 33W; HSOP8 Case: HSOP8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 39.8nC On-state resistance: 3.3mΩ Power dissipation: 33W Drain current: 80A Pulsed drain current: 120A |
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