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RS1E350BNTB

RS1E350BNTB Rohm Semiconductor

rs1e350bntb-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
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Technische Details RS1E350BNTB Rohm Semiconductor

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 80A, Pulsed drain current: 140A, Power dissipation: 35W, Case: HSOP8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.5mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 185nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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RS1E350BNTB RS1E350BNTB Hersteller : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008371183_1-2562721.pdf MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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RS1E350BNTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e350bntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 35W
Case: HSOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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RS1E350BNTB RS1E350BNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1e350bntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
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RS1E350BNTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rs1e350bntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 80A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 35W
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Gate-source voltage: ±20V
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Mounting: SMD
Gate charge: 185nC
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