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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.68 EUR |
| 10+ | 2.06 EUR |
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| 100+ | 1.57 EUR |
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Technische Details RS1E350BNTB ROHM Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8, Mounting: SMD, On-state resistance: 2.5mΩ, Drain current: 80A, Power dissipation: 35W, Drain-source voltage: 30V, Pulsed drain current: 140A, Case: HSOP8, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Kind of package: reel; tape, Polarisation: unipolar, Gate-source voltage: ±20V, Gate charge: 185nC, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote RS1E350BNTB nach Preis ab 1.59 EUR bis 3.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RS1E350BNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
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| RS1E350BNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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RS1E350BNTB | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP |
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| RS1E350BNTB | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 140A; 35W; HSOP8 Mounting: SMD On-state resistance: 2.5mΩ Drain current: 80A Power dissipation: 35W Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 140A Case: HSOP8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 185nC |
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