RS1G120MNTB Rohm Semiconductor


rs1g120mntb-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
auf Bestellung 22500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+0.4 EUR
7500+0.36 EUR
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Technische Details RS1G120MNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 25W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm.

Weitere Produktangebote RS1G120MNTB nach Preis ab 0.27 EUR bis 1.84 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 2120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
302+0.57 EUR
315+0.54 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 302 Stücke
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.79 EUR
319+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 1992 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
218+0.8 EUR
318+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 218 Stücke
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB ROHM Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf MOSFETs 4.5V Drive Nch MOSFET
auf Bestellung 1964 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.62 EUR
10+1.01 EUR
100+0.65 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.39 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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13+1.65 EUR
21+1.04 EUR
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500+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
136+1.84 EUR
219+1.06 EUR
338+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
auf Bestellung 1360 Stücke:
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
auf Bestellung 25 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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AnzahlPrivatkunde
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Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
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Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
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AnzahlPrivatkunde
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219+1.06 EUR
338+0.63 EUR
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1000+0.44 EUR
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0162 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 40A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 25W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0162ohm
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
136+1.84 EUR
219+1.06 EUR
338+0.63 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 136 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
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Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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