RS1G120MNTB

RS1G120MNTB Rohm Semiconductor


rs1g120mntb-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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Technische Details RS1G120MNTB Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: HSOP, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm.

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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
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Mindestbestellmenge: 321
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.2mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-HSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 20 V
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : ROHM Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET
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1000+ 0.51 EUR
2500+ 0.43 EUR
10000+ 0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 40
RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : ROHM rs1g120mntb-e.pdf Description: ROHM - RS1G120MNTB - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 0.0116 ohm, HSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Bauform - Transistor: HSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0116ohm
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RS1G120MNTB RS1G120MNTB Hersteller : Rohm Semiconductor rs1g120mntb-e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 12A 8-Pin HSOP EP T/R
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RS1G120MNTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g120mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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RS1G120MNTB Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR rs1g120mntb-e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 34A; Idm: 48A; 25W; HSOP8
Mounting: SMD
Case: HSOP8
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25W
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 9.4nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 34A
On-state resistance: 20.7mΩ
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